Markeren:
Type: |
andere, Bipolar Junction Transistor, IGBT Transistor |
Werktemperatuur: |
/ |
Reeks: |
Standaard |
Montage-type: |
Oppervlakte |
Beschrijving: |
/ |
D/C: |
/ |
Pakkettype: |
Oppervlakte |
Sollicitatie: |
/ |
Tipe leverancier: |
andere |
Kruisverwijzingen: |
Standaard |
Beschikbare media: |
andere |
Merk: |
/ |
Stroom - collector (Ic) (max): |
/ |
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): |
/ |
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic: |
/ |
Stroom - collectievergrens (maximaal): |
/ |
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
/ |
Vermogen - Max.: |
/ |
Frequentie - Overgang: |
/ |
Pakket / doos: |
/ |
Resistor - basis (R1): |
/ |
Resistor - basis van de zender (R2): |
/ |
FET-type: |
/ |
FET Eigenschap: |
Standaard |
Drain naar bronspanning (Vdss): |
/ |
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C: |
/ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs: |
/ |
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds: |
/ |
Frequentie: |
/ |
Stroom (ampere): |
/ |
Ruiscijfer: |
/ |
Vermogen - Uitgang: |
/ |
Spanning - Nominale: |
/ |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): |
/ |
(Maximum) Vgs: |
/ |
IGBT-type: |
/ |
Configuratie: |
Standaard |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Invoercapaciteit (Cies) @ Vce: |
/ |
Invoer: |
/ |
NTC-thermistor: |
/ |
Voltage - Analyse (V (BR) GSS): |
/ |
Huidig - Afvoerkanaal (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Huidig Afvoerkanaal (Maximum Identiteitskaart) -: |
/ |
Voltage - Scheidings (VGS weg) @ Identiteitskaart: |
/ |
Weerstand - RDS (): |
/ |
Spanning: |
/ |
Spanning - Uitgang: |
/ |
Gecompenseerd voltage - (Vt): |
/ |
Huidig - Poort aan Anodelekkage (Igao): |
/ |
Huidig - Vallei (iv): |
/ |
Huidig - Piek: |
/ |
Toepassingen: |
/ |
Type transistor: |
met een vermogen van meer dan 50 W |
Haven: |
Shenzhen |
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!