Markeren:
type: |
IC-chip, veldtransistor, IGBT-transistor |
Werktemperatuur: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Reeks: |
/ |
Montage-type: |
Door het gat |
Beschrijving: |
/ |
D/C: |
22+ |
Pakkettype: |
Door Gat |
Toepassing: |
IRF-transistor |
Tipe leverancier: |
andere |
Verwijzing: |
Nieuw |
Beschikbare media: |
andere |
Brandnaam: |
MOSFET P-CH 200V 11A tot 220AB |
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: |
, |
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic: |
, |
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
, |
Pakket / doos: |
TO-220-3 |
Weerstand - Basis (R1): |
, |
Weerstand - Zenderbasis (R2): |
, |
FET Type: |
P-Channel |
FET Eigenschap: |
Standaard |
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): |
200V |
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C: |
11A (Tc) |
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: |
500 mOhm @ 6,6A, 10V |
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: |
4V @ 250UA |
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds: |
1200pF bij 25V |
Frequentie: |
, |
Huidige Classificatie (Ampèren): |
, |
Geluidsniveau: |
, |
Macht - Output: |
, |
Geschat voltage -: |
, |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
(Maximum) Vgs: |
±20V |
IGBT-Type: |
, |
Configuratie: |
/ |
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic: |
, |
Inputcapacitieve weerstand (Cies) @ Vce: |
, |
Invoer: |
, |
NTC-Thermistor: |
, |
Voltage - Analyse (V (BR) GSS): |
, |
Huidig - Afvoerkanaal (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Huidig Afvoerkanaal (Maximum Identiteitskaart) -: |
, |
Voltage - Scheidings (VGS weg) @ Identiteitskaart: |
/ |
Weerstand - RDS (): |
, |
Spanning: |
, |
Voltage - Output: |
, |
Gecompenseerd voltage - (Vt): |
, |
Huidig - Poort aan Anodelekkage (Igao): |
, |
Huidig - Vallei (iv): |
, |
Huidig - Piek: |
, |
Toepassingen: |
, |
Transistortype: |
met een vermogen van meer dan 50 W |
Haven: |
Shenzhen |
Nieuwe en originele N-kanaal transistor 55V 75A IRF1405 Irf1405pbf
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!