Markeren:
Type: |
ic, veldtransistor, IGBT-transistor |
Werktemperatuur: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Reeks: |
/ |
Montage-type: |
Door het gat |
Beschrijving: |
/ |
D/C: |
22+ |
Pakkettype: |
Door Gat |
Sollicitatie: |
IRF-transistor |
Tipe leverancier: |
andere |
Kruisverwijzingen: |
Nieuw |
Beschikbare media: |
andere |
Merk: |
MOSFET P-CH 200V 11A tot 220AB |
Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): |
, |
Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic: |
, |
Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
, |
Pakket / doos: |
TO-220-3 |
Resistor - basis (R1): |
, |
Resistor - basis van de zender (R2): |
, |
FET-type: |
P-Channel |
FET Eigenschap: |
Standaard |
Drain naar bronspanning (Vdss): |
200 V |
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C: |
11A (Tc) |
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: |
500 mOhm @ 6,6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250UA |
Doorgangsplicht (Qg) (Max) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Invoercapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds: |
1200pF bij 25V |
Frequentie: |
, |
Stroom (ampere): |
, |
Ruiscijfer: |
, |
Vermogen - Uitgang: |
, |
Spanning - Nominale: |
, |
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On): |
10V |
Vgs (max): |
±20V |
IGBT-type: |
, |
Configuratie: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
, |
Invoercapaciteit (Cies) @ Vce: |
, |
Invoer: |
, |
NTC-thermistor: |
, |
Voltage - Analyse (V (BR) GSS): |
, |
Huidig - Afvoerkanaal (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Huidig Afvoerkanaal (Maximum Identiteitskaart) -: |
, |
Voltage - Scheidings (VGS weg) @ Identiteitskaart: |
/ |
Weerstand - RDS (): |
, |
Spanning: |
, |
Spanning - Uitgang: |
, |
Gecompenseerd voltage - (Vt): |
, |
Huidig - Poort aan Anodelekkage (Igao): |
, |
Huidig - Vallei (iv): |
, |
Huidig - Piek: |
, |
Toepassingen: |
, |
Type transistor: |
met een vermogen van meer dan 50 W |
Haven: |
Shenzhen |
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!